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湖南盈能电力科技有限公司，专业仪器仪表及自动化控制设备等。主要产品有：数字电测仪表，可编程智能仪表，显示型智能电量变送器，多功能电力仪表，网络电力仪表，微机电动机保护装置，凝露控制器、温湿度控制器、智能凝露温湿度控制器、关状态指示仪、关柜智能操控装置、电流互感器过电压保护器、断路器分合闸线圈保护装置、DJR铝合金加热器、EKT柜内空气调节器、GSN/DXN-T/Q高压带电显示、干式（油式）变压器温度控制仪、智能除湿装置等。
      本公司全系列产品技术性能指标全部符合或优于 标准。公司本着“以人为本、诚信立业”的经营原则，为客户持续满意的产品及服务。
在该电源接入电网后，会对电网内其他的用电设备产生影响，导致电网内直流电源的输出纹波较高，无法正常测试。即使移除地线的连接，将交直流源各自分至很远的位置，并通过不同的空接入后，干扰依旧存在。某品牌电源对电网内直流源输出干扰波形而在相同的测试环境使用APM全天科技可编程交流电源后，直流源输出纯净稳定，无任何影响。APM全天科技可编程交流电源通过严苛的EMC测试等级，符合欧盟电磁兼 3ClassA以及FCCCFR47第15部分的要求。
系统要求整机系统要求长时间工作，对主控设备可靠性要求较高；主控设备于终端整机系统中，终端整机系统一般放置于工作车间内，且带有自动输送系统，受振动、灰尘等恶劣环境影响较大；因为需要采集的数据路数不多，相应需要扩展的接口也不多，一般1-2个即可；因为要打印测试结果，所以需要打印接口；因为要调试设备、设置参数、显示结果等，所以VGA接口、PS2接口(分)是必须的；因为需要连接一些PLC控制设备，所以COM口也是必须的；因为测试过程中若发现异常，必须要求及时报，所以主板必须自带蜂呜器，检测程序一般会利用此蜂呜器；主控系统要完成信息的采集、、分析、传输通信等功能，CPU性能不能太低，但是一般也不要求太商，适用即可。
供热管线一般铺设在地下，受地面沉降和热胀冷缩的因素影响，管道可能会发生破损导致热水流失，直接影响到供热效果，并且造成大量的能源浪费，本文主要介绍使用便携式红外热像仪在供热管线破损检测中的应用，为保障供热新的检测手段。门厅台阶处供热管道渗漏（本文热像图及现场图片由袁星辉）供热管线破损检测的重要性：近年来，由于供热管网破损、漏水导致供热效果降低甚至中断供热的事件日益增多，其原因主要有：管网老化、地面沉降、车辆超载重压、周边施工等。
HilbertGHuang变换(HHT)是一种近几年发展起来的一种自适应信号方法,不受Heisenberg测不准原理制约,可以在时间和频率上同时达到很高的精度,非常适用于分析突变信号。笔者以薄壁铝板为研究对象,利用双重时间尺度的方法,即采用二维傅里叶变换法整体传播时间尺度,HilbertGHuang变换从单一信号时间尺度,将二者相结合对在铝板中不同位置采集到的Lamb波信号作数据与分析,与半解析有限元法得到兰姆波的频散曲线相对照,进而识别与分析铝板中兰姆波模态,获得较高的时间分辨率。
现把这两个问题的和解决过程与读者一同分享。系统概述及问题描述现简略的介绍该系统，其简略框图如下：该系统由两个模块组成，前端模块可插拔，在插入后会传输信号给FPGA，信号经过前端接收，A/D采样后进入FPGA信号，然后FPGA把过的信号通过PCIe接口传送给工控机进行后及显示。工控机也会通过PCIe接口控制FPGA的工作状态。前端的模块是可插拔的。个问题是该机器在测试时，发现在换模块时会偶发的出现工控机与FPGA的通讯异常的现象，该现象出现的频率很低，测试组的同事反馈在测试时经常会有换模块的操作，但该现象基本上几天才出现一次，虽然该现象概率低，但是问题影响甚为重大，必须攻破。
由P区引出的电极为阳极，由N区引出的电极为阴极，如下图所示，温度对二极管的性能有较大的影响，这是由于半导体材料的特性所致，温度升高时，二极管的正向压降将减小，每增加1oC，正向压降减小约2mV，可以从下图看出，由半导体理论可以得出，PN结所加端电压u与流过它的电流i的关系为：其中，Is为反向饱和电流，对于硅材料来说，Is约为10pA;q为电子的电量，q=1.6*10-9C；k是玻耳茨曼常数，k=1.38*10-23J/K；T为温度，kT/q可以用UT来代替，则常温下，即T=300K时，UT约为26mV。
说到的频谱分析仪通常用在射频领域，来观察和分析被测信号的频域特性，而我们常用其配合近场探头来扫描电磁干扰的功率峰值以及找到其对应的频点，初步判定辐射源属性。眼看上去这三种仪器用途各不相同，但其实都可以用来测试晶体振荡电路的频率。如果使用示波器或者频率计，配合无源电压探头点测芯片的时钟输入引脚，就可以测量到频率，如下是各部分的电路结构：其中：CC2是晶体的负载电容，影响到频率、负性阻抗等电路参数RC3是无源电压探头的电路参数，R3是9Mohm，C3是几个pF不等R是示波器或者频率计输入通道的等效阻抗和电容，R4是1Mohm，是几十pF不等如果使用频谱分析仪，配合近场探头靠近晶体封装外壳就可以探测到辐射功率峰值的频率，这个频率也是晶体电路的振荡频率。