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发布用户:yndlkj
发布时间:2024-06-29 12:25:02
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A4-R2-P1-A一览表
湖南盈能电力科技有限公司,专业仪器仪表及自动化控制设备等。主要产品有:数字电测仪表,可编程智能仪表,显示型智能电量变送器,多功能电力仪表,网络电力仪表,微机电动机保护装置,凝露控制器、温湿度控制器、智能凝露温湿度控制器、关状态指示仪、关柜智能操控装置、电流互感器过电压保护器、断路器分合闸线圈保护装置、DJR铝合金加热器、EKT柜内空气调节器、GSN/DXN-T/Q高压带电显示、干式(油式)变压器温度控制仪、智能除湿装置等。
本公司全系列产品技术性能指标全部符合或优于 标准。公司本着“以人为本、诚信立业”的经营原则,为客户持续满意的产品及服务。
了解了隔离与非隔离DUT设备区别后,我们通过以下图片了解CANDT系统中隔离与非隔离的接线区别以及其对测试的影响。隔离供电电路连接图非隔离供电电路连接图软件设置供电类型隔离与非隔离对测试的影响,四种测试情况:被测件隔离供电,选用隔离供电测试;DUT接入隔离供电端口,系统设置中被测设备设置为隔离供电,测试可正确进行;被测件非隔离供电,选用非隔离供电测试;DUT接入非隔离供电端口,系统设置中供电类型选择非隔离供电,测试可正确进行;被测件隔离供电,选用非隔离供电测试;DUT接入隔离供电端口,系统设置中供电类型选择非隔离供电,此时无法形成供电回路,DUT无法正常工作。
拿出ES2三相相位伏安表。按图接线钳住线。电压黄色对应黄色(A相),电压绿色对应绿色(B相),电压红色对应红色(C相),黑色对就黑色(零线)。CT1电流钳:钳住A相(黄色),CT2电流钳:钳住B相(绿色),CT3电流钳:钳住C相(红色)。与ES2三相相位伏安表对应的颜色插头插好。按红色的POWER机键直接显示出三相的电压,与电 19mA。
本系统利用一些常规的芯片设计了一系列电路,可以实现周期连续信号的与。本系统既可以帮助低年级的同学学习周期信号的与,又可以运用于实际,信号质量高,具有实用价值。1波形器设计方案1.1该系统的基本原理任何周期信号只要满足狄利克雷条件就可以成直流分量及许多正弦、余弦分量。这些正弦、余弦分量的频率必定是基频的整数倍。根据函数的对称性与傅里叶系数的关系知,周期对称方波信号可以用无穷个奇次谐波分量的傅里叶级数来表示:周期对称三角波可以用无穷个奇次谐波分量的傅里叶级数来表示:在本系统中只用取出前两项奇次谐波,然后即可得到近似方波、三角波。
摩尔定律美国人高登摩尔提出摩尔定律,即微器的速度每18个月翻一翻。这意味着同等价位的微器速度会变得越来越快,同等速度的微器会变得越来越便宜。作为迄今为止半导体发展史上意义 深远的摩尔定律,集成电路数十年的发展历程,令人信服地证实了它的正确性。它并不是严格的物理定律,而是基于一种几乎不可思议的技术进步现象所出的总结。在过去10年中,摩尔定律所描述的技术进步不断冲击着计算机工业:晶体管越越小,芯片性能越来越高,计算能力呈指数增长,生产成本和使用费用不断降低。
存储深度(RecordLength)也称记录长度,它表示示波器可以保存的采样点的个数。存储深度如果为“20000个采样点”则一般在技术指标中会写作“2Mpts”(这里的pts可以理解为“points”的缩写)或2MS(这里的S也可以理解为“samples”的意思)。存储深度表现在物理介质上其实是某种存储器的容量,存储器容量的大小也就是存储深度。示波器采集的样点存入到存储器里面,当存储器保存满了,老的采样点会自动溢出,示波器不断采样得到的新的采样点又会填充进来,就这样周而复始,直到示波器被触发信号“叫停”,每“叫停”一次,示波器就将存储器中保存的这些采样点“搬移”到示波器的屏幕上进行显示,这两次“搬移”之间等待的时间被称为“死区时间”。
当仪表的桥路电源接地时,除桥路输出不平衡信号电压以外,信号线对地还有一公共电压,该公共电压不是所要测量的信号电压,而是共模干扰的一种表现。数显仪表消除干扰的措施信号传输导线使用双绞线,能使两根信号线到干扰源的距离大致相等,分布电容也大致相同,所以能使进人数显表的串模干扰大大减小。为了防止电场的干扰,可把信号线穿入铁管中,或者使用屏蔽线,并对屏蔽层采取一点接地。对于直流信号,可在数显表输入端加滤波电路,把杂散信号干扰衰减至,信号线要远离动力线,信号线与电源线不要统一孔进入仪表内,信号线应以尽量短的绞线接至信号端子的相邻位置上。
使用“时间门”选择脉冲响应中的特定部分而其余部分。时间门在时域分析状态进行选取和配置。时间门选取的时间片段对应测试通道内的某一段位置,在时域分析模式选取时间门,对应电缆连接监控位置点,打时间门后,切换到频域进行监测。测试方法:DUT为线缆,可以是10Ω~1kΩ内任意阻抗;被测电缆焊接50Ω同轴接头,如SMN;如果DUT为差分电缆,每个电缆对焊接两对50Ω同轴接头,每对接头外壳导体互联,并连接DUT屏蔽层。
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